Специальность 05



Скачать 80.69 Kb.
страница1/2
Дата28.07.2018
Размер80.69 Kb.
ТипПрограмма
  1   2

Правительство Российской Федерации


Федеральное государственное автономное образовательное учреждение

высшего профессионального образования

Национальный исследовательский университет

«Высшая школа экономики»

Утверждено

Проректор

С.Ю. Рощин

____________________

«_____»_____________2013 г.

Одобрена на заседании кафедры «Электроники и наноэлектроники»

на факультете «Электроники и телекоммуникаций»

«24» июня 2013 г.

Зав. кафедрой «Электроники и наноэлектроники»

_________________К.О. Петросянц
Декан факультета «Электроника и телекоммуникации»
_________________Б.Г.Львов
Зам. директора МИЭМ НИУ ВШЭ по научной работе
_____________________В.Н. Азаров

ПРОГРАММА
вступительного экзамена в аспирантуру по специальности 05.27.01

«Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника, приборы на квантовых эффектах»

Москва, 2013 г.
1. Физика полупроводников

Природа химической связи в полупроводниках. Структура кристаллов. Идеальные и реальные кристаллы. Дефекты в кристаллах. Свойства основных монокристаллических материалов микроэлектроники: Si, GaAs, Ge.

Поликристаллические и амфорные полупроводники. Зонная теория твердого тела. Энергетические спектры электронов в металлах, полупроводниках, диэлектриках. Зона проводимости и валентная зона. Эффективная масса электрона и дырки. Собственные и примесные полупроводники. Роль донорных и акцепторных примесей.

Основы статистической физики. Функция распределения Ферми-Дирака. Концентрация электронов и дырок в зонах. Температурные зависимости. Распределение Больцмана. Критерий вырождения электронного газа. Вырожденные и невырожденные полупроводники

Рекомбинация носителей. Рекомбинация «зона-зона» и рекомбинация через примеси и дефекты. Теория рекомбинации Шокли-Рида. Диффузионная длинна и время жизни свободных носителей заряда. Поверхностная рекомбинация.

Электропроводность полупроводников. Поведение свободных носителей заряда в слабом электрическом поле. Взаимодействие с фононами, примесными атомами, дефектами. Подвижность электронов и дырок. Условие электронейтральности. Диффузия и дрейф носителей заряда. Соотношение Эйнштейна. Свободные носители заряда в сильном электрическом поле. Горячие электроны. Лавинное умножение в полупроводниках. Электрические домены и токовые шнуры. Эффект Ганна.

Уравнение для плотности электрического тока в полупроводниках. Уравнение непрерывности. Уравнение Пуассона.

Электронно-дырочный переход (р-n). Инжекция и экстракция неосновных носителей заряда. Вольт-амперная и вольт-фарадная характеристики р-п перехода. Токи носителей заряда в р-n переходе, квазиуровни Ферми. Коэффициент инжекции. Генерация и рекомбинация носителей в р-п переходе. Барьерная и диффузионная ёмкость. Пробой р-n перехода: тепловой, лавинный, туннельный.

Гетеропереходы. Контакт металл-проводник. Омический и выпрямляющий переходы Шоттки.

Поверхностные состояния. Структуры металл-диэлектрик полупроводник (МДП). Полевой эффект в МДП-структурах.

Теплопроводность полупроводников. Термоэлектрические явления. Термо- и гальвомагнитные эффекты. Эффект Холла.

Поглощение излучения в полупроводниках. Прямые и непрямые переходы носителей заряда. Виды люминесценции: инжекторная, катодо-фотолюминесценция. Электролюминесценция порошковых и пленочных полупроводников Основные материалы оптоэлектроники: соединения А3В5 и А2В6.

Электро-, магнито- и акустооптические эффекты в твердых телах.
2. Приборы твердотельной электроники и микроэлектроники

Полупроводниковые диоды. Основные параметры и характеристики диодов, их зависимость от температуры и режима. Эквивалентные схемы. Импульсные и частотные свойства диодов.

Выпрямительные и импульсные диоды. Диоды с накоплением заряда. Варикапы. Стабилитроны.

Туннельные и обращенные диоды Лавинно-пролетные диоды. Диоды Шоттки. Диоды Ганна. Диоды для СВЧ.

Биополярные транзисторы Структура и принцип действия. Распределение носителей в областях транзисторов. Эффект Эрли. Основные параметры и характеристики транзисторов, их зависимость от температуры и режима. Эквивалентные схемы и математические модели транзистора: модели Эберса-Молла, Линвилла, зарядовая. Импульсные и частотные свойства транзисторов. Работа транзистора при высоком уровне инжекции. Пробой транзистора и смыкание переходов. Шумы в транзисторах. Мощные транзисторы. СВЧ транзисторы.

Тиристоры, принцип их действия и классификация. Основные параметры и характеристики.

Полевые транзисторы МДП, с р-n переходом и с барьером Шоттки. Принцип действия. Модуляция глубины канала. Основные параметры и характеристики полевых транзисторов. Эквивалентные схемы полевых транзисторов. Частотные и импульсные свойства полевых транзисторов. Шумы полевых транзисторов в диапозоне низких частот и на СВЧ. МДП транзисторы с индуцированным и встроенным каналами. МНОП-структуры. Интегральные микросхемы. Элементы ИС: транзисторы, диоды, резисторы, конденсаторы в составе ИС. Классификация ИС по конструктивно-технологическому и функциональному решению. Цифровые и аналоговые ИС. Полупроводниковые ЗУ и микропоцессоры. Биполярные ТТЛ, ЭСЛ и И2 Л- схемы, МДП-ИС: с р- и п- каналами, К/МОП.

Приборы с зарядовой связью. Принцип действия, основные параметры и области применения.

Оптоэлектронные приборы. Назначение и области применения. Фотоприемники: фотодиоды, фототранзисторы, фоторезисторы, лавинные фотодиоды. Основные параметры и характеристики: фоточувствительность, обнаружительная способность, быстродействие. Солнечные батареи. Полупроводниковые излучатели: светодиоды и лазеры. Приборы для систем отображения информации. Оптроны и оптоэлектронные интегральные схемы.

Термоэлектрические и гальваномагнитные полупроводниковые приборы. Твердотельные датчики, включая микроэлектронные преобразователи информации.

Акустоэлектроника, магнитоэлектроника, криоэлектроника (общее представление). Функциональная электроника.
3. Технологические процессы в производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.

Определение кристаллографической ориентации полупроводников. Ориентированная резка, шлифовка и полировка пластин. Станки для полировки полупроводника.

Химическое травление и химическая полировка германия, кремния и арсенида галлия. Химико-механическая полировка. Финишная очистка пластин. Методы контроля качества очистки. Пленарная технология. Физические основы процесса диффузии. Основные уравнения. Граничные условия и расчетные формулы для наиболее важных частных случаев диффузии. Практические методы проведения диффузионных процессов. Структурные схемы диффузионных печей.

Методы получения электронных и ионных пучков. Ионное легирование. Плазмохимические и ионно-плазменные методы обработки полупроводниковых, диэлектрических и металлических слоев. Дефекты, вносимые электронно-ионной обработкой, их устранение. Конструктивные схемы основных типов оборудования для электронно-ионной и ионно-химической обработки.

Эпитаксия. Практические методы эпитаксиального выращивания Si. Методы контроля эпитаксиальных слоев. Распределение примесей в эпитаксиальных слоях. Дефекты эпитаксиальных пленок. Получение эпитаксиальных гетеропереходов. Выращивание эпитаксиальных пленок А3В5. Оборудование для эпитаксиального наращивания пленок. Сравнение газотранспортной, жидкофазной и молекулярной эпитаксии.

Термическое окисление кремния в парах воды, в сухом и влажном кислороде; распыление и конденсация окислов кремния в вакууме; анодное окисление; химическое осаждение окисла из газовой фазы. Маскирующая способность пленок двуокиси кремния. Заряженные примеси в пленках, методы изменения заряда пленок. Пленки нитрида кремния.

Получение тонких пленок термическим испарением в вакууме. Ионно-плазменное распыление. Химическое осаждение из газовой фазы. Оборудование для получения тонких пленок. Материалы тонкопленочной технологии.

Фотолитография. Основные типы оборудования для фотолитографии. Проекционная фотолитография. Фотошаблоны и их изготовление. Дефекты микросхем, связанные с фотолитографическими процессами.

Основы конструирования структуры полупроводниковых ИС. Методы изоляции элементов. Изопланарная технология, эпик-процесс, технология "кремний на изоляторе". Структура и свойства элементов ИС.

Сборка и монтаж полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Корпуса полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Методы герметизации Бескорпусные приборы. Методы отвода тепла в мощных полупроводниковых приборах

Тенденция развития планарной технологии Субмикронная технология.
4.Основы наноэлектроники.

Структура и физические свойства атомно-чистых поверхностей. Технология получения низкоразмерных пленок и структур. Эффекты размерного квантования, "двумерный электронный газ". Особенности механических, электрофизических и оптических свойств наноразмерных пленок. Понятие о квантовых ямах в слоистых структурах. Полупроводниковые сверхрешетки и их приборные применения. Понятие о квантовых нитях и квантовых точках и перспективах их практического использования. Способы получения и структура "пористых" слоев Si и GaAs. Особенности люминесценции в "пористых" полупроводниковых материалах. Рентгеновская и электронная литография наноразмерных элементов. Применения атомно-силового и сканирующего туннельного микроскопов для нанолитографии и прецизионного контроля наноразмерных структур.


5.Вопросы обеспечения качества и надежности полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.

Организация контроля качества полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Методы измерения статических, динамических и импульсных параметров. Методы измерения шумовых характеристик полупроводниковых приборов. Методы контроля БИС и СБИС.



Виды производственных испытаний. Количественные характеристики надежности. Эксплуатационная надежность. Надежность элементов ИС. Классификация и основные виды отказов. Механизм отказов. Статистические и физические методы анализа и прогнозирования отказов. Методы повышения надежности полупроводниковых приборов и ИС. Действие радиации на полупроводниковые приборы и микросхемы.

Список рекомендуемой литературы

  1. Каталог: data -> 2013
    2013 -> Федеральное государственное автономное образовательное
    2013 -> Источники в социологии
    2013 -> Концепция устойчивого развития признана мировым сообществом в качестве центральной стратегии развития человечества, которая направлена на преодоление глобального экологического кризиса
    2013 -> Политические ориентации современной российской молодежи
    2013 -> 5 Алёшин А. И. Несколько тезисов к теме конференции 7
    2013 -> Исследование особенностей жизнедеятельности семей в современной России
    2013 -> Владимир карлович кантор
    2013 -> Факт и образ: жанровая специфика мультимедийных и телевизионных проектов на темы истории


    Поделитесь с Вашими друзьями:
  1   2


База данных защищена авторским правом ©znate.ru 2019
обратиться к администрации

    Главная страница